「PCIM Europe 2024」に出展 － SN-AMB/DCB基板やSiCウエハーなどを紹介

お知らせ

「PCIM Europe 2024」に出展
SN-AMB/DCB基板やSiCウエハーなどを紹介

2024年06月05日

日本ガイシは、2024年6月11日（火）から13日（木）までドイツ・ニュルンベルクで開催される「 Power Conversion and Intelligent Motion ：PCIM Europe 2024」に出展します。PCIMは パワー半導体やインバーター、コンバーターといったパワーエレクトロニクス分野に特化した世界最大規模の展示会です。

展示会概要

会期	2024年6月11日（火）～13日（木）
開催地	ドイツ・ニュルンベルク
会場	ニュルンベルク メッセ
小間番号	Hall 9 - 404
公式サイト	PCIM Europe

出展概要

SN-AMB/DCB回路基板

絶縁放熱回路基板（AMB/DCB）

SN-AMB/DCB回路基板は絶縁材料であるセラミック板の両面に、銅板が接合された製品です。インバーター制御機器に組み込まれるパワー半導体から発生する熱を逃がすことで、高効率な安定動作に貢献します。

SN-AMB^※1基板は活性金属接合法（AMB）を用いて銅板とSi₃N₄板を接合した基板で、主にハイブリッド自動車（HEV）や電気自動車（EV）向けパワーモジュールに使用されます。NGKのAMB基板は数ミクロン以下の接合層を実現しており、接合層の熱抵抗の影響がほとんどありません。
DCB^※2基板は直接接合法（DCB）を用いて銅板とアルミナ系セラミックスを接合した基板で、車載用に加え産業用機器向けパワーモジュールにも用いられます。

• ※1SN-AMB：Si₃N₄-Active Metal Brazing method
• ※2DCB：Direct Copper Bonding method

絶縁放熱回路基板（AMB/DCB）製品サイト

SiCウエハー（参考出展）

炭化ケイ素（SiC）ウエハーは、電気自動車（EV）向けなどで採用されているSiCパワー半導体の材料です。SiCウエハーの基底面転位（Basal Plane Dislocation：BPD）密度の低減はパワー半導体の性能に重要なパラメーターです。日本ガイシは多数枚のSiCウエハーを同時に処理することにより低コストでBPD密度を低減できるプロセスを開発しています。今回、このプロセスを用いて結晶成長させた６インチSiCウエハーを初めて展示します。

セラミック大電流配線基板（参考出展）

大電流配線基板は、EV向けインバーターに採用が進んでいるSiCなどのパワー半導体の性能を最大限に引き出す新しい配線部材です。NGK独自の製法により多層のセラミック基板に厚さ100μmの銅配線を埋設し、従来のワイヤーを使った配線に比べて配線長を短くすることで、スイッチングサージを大幅に低減します。

日本ガイシ
NGKヨーロッパ（ドイツ）

以上