2025/12/16

参画事業がJST「次世代エッジ AI 半導体研究開発事業」に採択~環境循環型3D半導体製造革新と拠点形成を通じた、エッジAI社会を支える超高性能チップ実現へ~

株式会社 レゾナック・ホールディングス 

参画事業がJST「次世代エッジ AI 半導体研究開発事業」に採択

~環境循環型3D半導体製造革新と拠点形成を通じた、エッジAI社会を支える超高性能チップ実現へ~

  • 研究・開発

2025年12月16日
株式会社レゾナック・ホールディングス

株式会社レゾナック(代表取締役社長 CEO:髙橋 秀仁、以下、当社)が参画している「環境循環型3D集積半導体製造革新と拠点形成」(以下、本事業)について、国立研究開発法人科学技術振興機構(以下、JST)が公募する「次世代エッジ AI 半導体研究開発事業」における「テーマ② 3D集積技術」の研究開発課題に採択されましたのでお知らせします。


【事業の概要】
・事業名称:環境循環型3D集積半導体製造革新と拠点形成
・研究代表者:横浜国立大学総合学術高等研究院 半導体・量子集積エレクトロニクス研究センター/副センター長 井上 史大
・研究分担機関:(株)レゾナック、慶應義塾大学、東京科学大学、早稲田大学


本事業は、クラウド側の消費電力増大という世界的な課題を解決し、エッジ側で高度な情報処理を可能とする革新的なAI半導体の実現を目指す国家プロジェクトです。将来のエッジAI社会に不可欠な小型・高集積化と、地球環境に配慮したサーキュラーエコノミー型製造革新の両立を目標とし、特に以下の4つの技術課題等に注力し、急速に拡大するエッジAI市場における日本の競争優位を確立することを目指します。

①環境循環型製造技術の確立:
資源効率を高め、廃棄物を最小限に抑える「サーキュラーエコノミー型製造プロセス」の導入を加速し、半導体製造におけるグリーントランスフォーメーション(GX)を牽引します。

②チップレットに必須となる高度テスト技術の確立:
複雑な3次元積層(3D集積)構造の品質と信頼性を確立するため、多層にわたる欠陥を高精度かつ効率的に検出・評価する「高度テスト技術」に取組み、次世代3D半導体の量産プロセス技術を創造します。

③革新的な冷却技術の開発:
高集積化による発熱増大に対応するため、エネルギー効率が高く、極めて効率的な「水冷・マイクロ流路型冷却技術」の研究に取組み、AI半導体性能向上の可能性に挑戦します。

④オープンイノベーション拠点整備:
研究成果の社会実装を加速するため、横浜国立大学を中心に、参画機関である当社、慶應義塾大学、早稲田大学、東京科学大学が緊密に連携し、産学官連携の「オープンイノベーション拠点」を整備します。これにより、半導体産業の国際競争力の更なる強化と、実践的な教育を通じた次世代のグローバル人材育成を推進します。

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