1.SiC、GaN用エピタキシャル成長装置とは
エピタキシャル成長は今日、シリコンベースのデバイスやIII-V族化合物半導体産業で使用されている。この需要は、マイクロLED、パワーデバイス、レーザーダイオードの用途によって増加し、強く牽引されると予想される。
半導体基板に関しては、シリコン基板に次いでGaN材料が主要なエピタキシー市場を占めており、その大部分は従来のLED用GaNデバイスが牽引している。
他方、SiC基板のようなワイドバンドギャップ材料は、パワーエレクトロニクス市場に活路を見出している。SiCの市場価格は高いが、このような基板は高電圧アプリケーションの強力な資産であるため、一部のMOSFETやダイオード製品の技術選択肢として考えられている。
世界のSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置市場は、世界国内市場での使用に適した幅広い製品群から構成されている。この市場を定量化し分析するために、我々の定義では以下の主要製品分野を含んでいる:
本レポートでは、特に人件費を除外し、メーカー販売価格での製品価値を測定しています。付加価値税、輸入関税、輸送費、人件費、その他の配送料は除外しています。商業用途は除外するよう努めたが、市場規模全体から軽商用用途が除外される場合もある。
市場全体の数量が記載されている場合は、販売数として記載されている。本レポートの対象地域は世界であり、国内生産品と輸入品が含まれる。
2023年におけるSiC、GaN用エピタキシャル成長装置(Epitaxial Growth Equipment for SiC and GaN)の世界市場規模は、927.1百万米ドルと予測され、2024年から2030年の予測期間において、年間平均成長率(CAGR)7.2%で成長し、2030年までに1618.2百万米ドルに達すると予測されている。
SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の世界的な主要プレーヤーには、NuFlare Technology Inc.、東京エレクトロン株式会社、NAURA、VEECOなどが含まれる。上位4社で約60%のシェアを占めている。最大の市場は中国で、シェアは約40%である。製品タイプ別では、CVDが最大セグメントで約50%のシェアを占め、用途別ではSiCエピタキシーが約60%のシェアを占めている。
2.本レポートに含むメーカー
SiC、GaN用エピタキシャル成長装置の世界の主要企業には:NuFlare Technology Inc.、Tokyo Electron Limited、NAURA、VEECO、Taiyo Nippon Sanso、Aixtron、Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China(AMEC)、ASM International
上記メーカーの企業情報、SiC、GaN用エピタキシャル成長装置販売量、売上、粗利益など記載されています。
SiC、GaN用エピタキシャル成長装置が下記製品タイプとアプリケーション別に分けられます:
製品別:CVD、MOCVD、Others
アプリケーション別:SiC Epitaxy、GaN Epitaxy
また、本レポートは地域別でSiC、GaN用エピタキシャル成長装置の市場概要(販売量、売上高(2019-2030)などを分析しています。具体的には、下記国・地域が含まれています。
北米:アメリカ、カナダ
ヨーロッパ:ドイツ、フランス、イギリス、イタリア、ロシア、その他のヨーロッパ地域
アジア太平洋地域:中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、その他のアジア太平洋地域
ラテンアメリカ:メキシコ、ブラジル、その他のラテンアメリカ地域
中東とアフリカ:トルコ、サウジアラビア、アラブ首長国連邦、その他の中東及びアフリカ地域
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